تراشه‌های اگزینوس سامسونگ به دلیل کارایی پایین‌تر و عملکرد ضعیف‌تر در مدیریت حرارت، شهرت خوبی ندارند. با این حال، شرکت کره‌ای در تلاش است با بهره‌گیری از فناوری‌های نوین، این نقاط ضعف را در تراشه‌های آینده خود کاهش دهد. تراشه Exynos 2600 که پیش‌بینی می‌شود در برخی مدل‌های خانواده Galaxy S26 به‌کار رود، احتمالاً از فناوری به‌روزتری برای کنترل حرارت استفاده خواهد کرد.
بر اساس گزارشی از ZDNet Korea، سامسونگ تصمیم دارد فناوری بسته‌بندی تراشه‌ی جدیدی را برای بهبود عملکرد اگزینوس ۲۶۰۰ معرفی کند. گفته می‌شود این شرکت از فناوری Heat Pass Block یا HPB بهره خواهد گرفت که شامل افزودن مواد هادی حرارت به درون بسته‌بندی نیمه‌رسانا است.
تراشه Exynos 2600 که توسط واحد System LSI شرکت سامسونگ طراحی و از طریق Samsung Foundry تولید می‌شود، یک تراشه ۲ نانومتری است و نخستین محصول این شرکت خواهد بود که به فناوری HPB مجهز می‌شود. این فناوری شامل یک سینک حرارتی مسی است که در بخش بالایی پردازنده کاربردی و حافظه DRAM قرار می‌گیرد. این سازه حرارت تولید شده از سوی CPU، GPU، RAM و سایر اجزای موجود در تراشه‌های مدرن را جذب می‌کند.
بر اساس گزارش‌ها، سامسونگ قصد دارد مراحل آزمایش تراشه اگزینوس ۲۶۰۰ را تا پایان ماه اکتبر (مهرماه) سال جاری به اتمام برساند. در صورتی که نتایج آزمایش‌ها رضایت‌بخش باشد، تولید انبوه این تراشه آغاز خواهد شد تا در موعد مقرر برای استفاده در مدل‌های خانواده Galaxy S26 که اوایل سال ۲۰۲۶ روانه بازار می‌شوند، آماده باشد. دیگر مدل‌های این سری، از جمله احتمالاً Galaxy S26 Ultra، به احتمال زیاد از تراشه Snapdragon 8 Elite Gen 2 ساخت شرکت کوالکام بهره‌مند خواهند شد.
طی چند سال اخیر، سامسونگ از فناوری‌های جدیدی در بسته‌بندی تراشه‌های سری Exynos استفاده کرده است. تراشه Exynos 2400 از فناوری Fan-Out Wafer Level Packaging یا FOWLP استفاده می‌کرد که در آن پایانه‌های ورودی و خروجی (I/O) در بیرون از تراشه نیمه‌رسانا قرار می‌گیرند تا انتقال حرارت به شکل بهتری انجام شود. در این فناوری به‌جای استفاده از بُرد مدار چاپی (PCB) سنتی، تراشه مستقیماً روی ویفر سیلیکونی قرار می‌گیرد. تراشه Exynos 2600 نیز همچنان از فناوری FOWLP بهره خواهد برد.
