براساس گزارشات، سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های ۱۲ لایه HBM3E را برای انویدیا آغاز کرده است. ظاهرا گسترش تولید این تراشه‌ها از اوایل امسال شروع شده و خط تولید سامسونگ که با سرعت پایین فعالیت می‌کرد، اکنون حجم تولیدات خود را افزایش داده است.
طبق گزارشی از سوی وب‌سایت ZDNet Korea، غول فناوری کره‌ای مطمئن است که انویدیا تراشه‌های ۱۲ لایه HBM3E آن را تائید خواهد کرد. به همین دلیل، این شرکت تولید انبوه تراشه‌های حافظه بالارده خود را آغاز کرده است تا در شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی انویدیا که توسط چند شرکت فعال در حوزه فناوری برای پردازش‌های هوش مصنوعی استفاده می‌شوند، به کار رود.
گفته می‌شود تولید انبوه تراشه‌های بهبودیافته ۱۲ لایه HBM3E سامسونگ در ماه فوریه آغاز شده است. این تراشه‌ها براساس فناوری 1a DRAM (پنجمین نسل فرایند ۱۰ نانومتری) طراحی شده‌اند و ممکن است عملکرد بهتری نسبت به تراشه‌های HBM3E قبلی سامسونگ که در نیمه دوم سال گذشته در آزمایشات انویدیا شکست خوردند و ضررهای بزرگی به همراه داشتند، ارائه دهند.
ظاهرا سامسونگ اکنون می‌تواند ماهانه ۱۲۰ تا ۱۳۰ هزار تراشه HBM3E تولید کند. البته کل فرایند تولید معمولا حدود ۶ ماه طول می‌کشد. اگر این شرکت در ماه ژوئن یا جولای امسال تائید انویدیا را دریافت کند، شروع تولید انبوه برای آن‌ها دشوار خواهد بود، زیرا ممکن است خیلی دیر شده باشد. تا پایان امسال، انویدیا می‌تواند از تراشه‌های HBM4 برای شتاب‌دهنده هوش مصنوعی جدید خود به نام Rubin استفاده کند.
بنابراین، سامسونگ تولید انبوه تراشه‌های ۱۲ لایه HBM3E را آغاز کرده است تا در زمان دریافت تائید از سوی انویدیا، موجودی کافی برای فروش آن‌ها داشته باشد. این شرکت کره‌ای همچنین تصمیم دارد ساخت تراشه‌های HBM را از چهار میلیارد گیگابیت سال گذشته به ۸ میلیارد گیگابایت در سال جاری افزایش دهد. این میزان تولید در سه ماهه نخست امسال تنها ۶۰۰ تا ۸۰۰ میلیون گیگابیت بود. بنابراین، سامسونگ برای دستیابی به این هدف باید سرعت تولید خود را افزایش دهد.
